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用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜

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申请专利号CN03128025.0  
专利申请日2003.05.23  
名称用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜   
公开(公告)号CN1453768
公开(公告)日2003.11.05  
类别物理
颁证日 
优先权 
申请(专利权)华中科技大学  
地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 
发明(设计)人李佐宜;黄致新;林更琪;李震  
国际申请 
国际公布 
进入国家日期 
专利代理机构华中科技大学专利中心  
代理人曹葆青  
摘要
本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜,包括底层、磁性层和顶层,所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜,读出层的元素组成为:轻稀土元素12%-18%;重稀土元素:8%-15%;过渡金属元素:68%-80%;写入层的元素组成为:轻稀土元素:7%-17%;重稀土元素:25%-33%;过渡金属元素:50%-68%。由于重稀土元素的饱和磁化强度Ms较小,而轻稀土元素以及过渡金属元素的Ms较大,采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构,在溅射制膜的过程中,调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例,可以获得饱和磁化强度Ms大,磁各向异性常数K
主权项
1、一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜,包括底层、磁性层和顶层,所述磁性层为轻稀土-重稀土-过渡金属双层耦合膜,该双层耦合膜是由读出层和写入层构成,读出层的元素组成为:轻稀土元素:12%-8%;重稀土元素:8%-15%;过渡金属元素:68%-80%;写入层的元素组成为:轻稀土元素:7%-17%;重稀土元素:25%-33%;过渡金属元素:50%-68%。  
 

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